1N4448
Active - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 100 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
France
