1N4446TR
Obsolete - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4446TR Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 20 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
25 nA @ 20 V
Kapazität bei Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
Betriebstemperatur - übergang
175 ℃ (Max)
1N4446TR Inventar: 33280
5.0 / 5.0
2023-05-24 06:05
In Ordnung, perfekt, danke
2023-05-24 09:55
Artikel gut angenommen und konform. Die Lieferung zwischen China und Frankreich ist in 18 Tagen statt 15 Tagen etwas lang.
2023-05-24 01:41
at?jo per 14 dien?
2023-05-15 00:47
Übereinstimmende Beschreibung des Artikels. Paket und Lieferung ok.
2023-05-18 10:34
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United States
