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BLF6G15L-40BRN,112

Active - RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI

BLF6G15L-40BRN,112

NXP Semiconductors

Hersteller:

NXP Semiconductors

Hersteller-Teil #

BLF6G15L-40BRN,112

Kategorie:

Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs

Datenblatt:

BLF6G15L-40BRN,112

Beschreibung:

RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI

BLF6G15L-40BRN,112 Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs

Hersteller

NXP Semiconductors

Reihe

-

Verpackung

Tube

Produktstatus

Active

Technologie

LDMOS (Dual), Common Source

Konfiguration

1.47GHz ~ 1.51GHz

Frequenz

22dB

Verstärkung

28 V

Spannung - Test

11A

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

330 mA

Strom - Test

2.5W

Leistung - Abgabe

65 V

Spannung - Nennwert

-

Montagetyp

SOT-1112A

Gehäuse / Hülle

CDFM6

Gehäusetyp vom Lieferanten

-

BLF6G15L-40BRN,112 Inventar: 39440

Geschichte Preis

$53.78000

Certificates

5.0 / 5.0

Gintaras Jonas

Lithuania

2021-12-07 05:43

Sieht aus wie nicht echt

Laura Ramirez

United States

2021-07-21 00:28

Okay, laut Ankündigung.

Valentina

Spain

2021-07-21 07:53

Produkt gut, wie beschrieben.

Éva Lefebvre

France

2021-11-23 07:05

Sehr schnelles Dankeschön

Benjamin Dupuis

France

2021-11-15 15:01

Sie fehlen in meiner Bestellung...

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