NTE649G
Active - DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
NTE649G Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 1 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
150 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-214AC, SMA
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
NTE649G Inventar: 11220
5.0 / 5.0
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.
United States
