NTE6363
Active - DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
NTE6363 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1400 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
NTE6363 Inventar: 11260
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Finland
