NTE633
Active - DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
NTE633 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
250mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
SC-76, SOD-323
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOD-323
Betriebstemperatur - übergang
150 ℃
NTE633 Inventar: 46420
5.0 / 5.0
2023-02-28 05:32
Gut aussehen muss noch behindert werden
2022-12-16 18:07
Okay erhalten, viele Beine waren richtig angewinkelt, als der IC-Chip für den Versand in antistatischen Schaum gedrückt wurde
2023-02-28 05:53
Ok, alles guter, schneller Versand, danke
2022-10-06 10:05
Alles in Ordnung, danke.
2023-02-28 16:48
Schon ein Soldat am Handy. Funktioniert ok
Germany
