NTE6129
Active - DIODE GP 1.6KV 700A DO200AB
Beschreibung:
DIODE GP 1.6KV 700A DO200AB
NTE6129 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
700A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
2.2 V @ 1500 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
2 μs
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 mA @ 1600 V
Gehäuse / Hülle
DO-200AB, B-PUK
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-200AB
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 150 ℃
NTE6129 Inventar: 29800
5.0 / 5.0
2023-02-10 11:00
Hallo herzlich, alles ist in Ordnung, gemäß der Beschreibung der empfehlen, superschnelle Lieferung für das, was Dankeschön regards__B
2022-08-19 13:29
IGBT-Transistoren auf Testerach und Tescie geöffnet und geschlossen, alle 5 Stück smooth.__As für jetzt von diesem Verkäufer przychodza alle glatt was ist rzadkoscia U andere sprzedawcow tranzystorow IGBT, empfehlen, gute Kommunikation mit Verkäufer.
2023-02-09 11:27
Wie in der Beschreibung habe ich sie nicht installiert, um sie zu testen
2023-02-10 05:28
Aussehende Qualität, gut verpackt, gut verpackt, danke
2023-02-07 08:54
Ich konnte auf sehr einfache Art und Weise sehr schnell bestellen, alles ist nach den description__I bin sehr zufrieden
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