NTE5916
Active - DIODE GEN PURP 200V 20A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 20A DO4
NTE5916 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
20A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.23 V @ 63 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 200 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5916 Inventar: 13460
5.0 / 5.0
2023-02-16 23:32
Alles in Ordnung, zuverlässiger Verkäufer wie immer.
2023-02-14 10:38
Gutes Produkt, das der Beschreibung entspricht und vertrauenswürdig seller.__Order Versand- und Lieferzeit in die Niederlande war vom 26. Januar bis heute 14 February.__Thank Sie Verkäufer für diese reibungslose und sehr schnelle Transaktion :)
2022-11-06 12:52
Na gut, kein Problem.
2023-02-14 03:12
Sehr gut, vielen Dank.
2023-02-14 12:37
Sehr geehrte Damen und Herren, aber was ist zu tun?
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