NTE5900
Active - DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 16A DO4
NTE5900 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
16A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.23 V @ 50 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 400 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
Italy
