NTE5891
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
NTE5891 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.26 V @ 38 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 1000 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
Spain
