NTE5887
Active - DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
NTE5887 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.26 V @ 38 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 800 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5887 Inventar: 43720
5.0 / 5.0
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
United States
