NTE5880
Active - DIODE GEN PURP 500V 12A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 500V 12A DO4
NTE5880 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
500 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.26 V @ 38 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 500 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5880 Inventar: 41320
5.0 / 5.0
2023-02-21 04:38
Sehr empfehlenswert.
2023-02-17 12:13
50 Stück exactly.__Has sehr schnell angekommen.
2023-02-16 10:34
Bald erhalten. Gut verpackt. Produkt wie beschrieben. Qualität gut.
2023-02-17 15:14
Nicht gerade das, was ich erwartet hatte
2023-02-16 23:32
Alles in Ordnung, zuverlässiger Verkäufer wie immer.
Germany
