NTE5870
Active - DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
NTE5870 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
50 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.26 V @ 38 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 50 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5870 Inventar: 28680
5.0 / 5.0
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank
France
