NTE587
Active - DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
NTE587 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
950 mV @ 1 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
35 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
53pF @ 4V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-204AL, DO-41, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-41
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE587 Inventar: 46900
5.0 / 5.0
2023-03-01 17:50
Hat den Trick gemacht. Wurde für einen ESP8266 Breakout-Board-Spannungsregler verwendet.
2023-03-01 06:20
Sehr gute 555 schnelle Lieferung funktioniert einwandfrei
2023-03-02 10:04
Schneller Versand, alles OK, Ware und Verkäufer empfehlen.
2023-03-02 10:05
Alles ist in Ordnung.
2023-03-02 08:02
Schnelle Lieferung, alles wie beschrieben.
United States
