NTE5868
Active - DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
NTE5868 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 19 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 1000 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5868 Inventar: 43560
5.0 / 5.0
2023-04-18 09:27
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-04-17 10:01
Alles in Ordnung! Guter Verkäufer
2023-04-16 07:52
Wie versprochen schneller Versender Original-Komponente! Sehr schneller Kommunikator!
2023-04-11 13:26
Alles war gut, sehr schneller Versand, zufrieden mit dem Kauf
2023-04-16 21:02
Nur 78M05 getestet: OK.
United Kingdom
