NTE5849
Active - DIODE GEN PURP 1KV 3A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO4
NTE5849 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 3 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 1000 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5849 Inventar: 8060
5.0 / 5.0
2023-02-13 17:15
Ausgezeichnet!!! Vielen Dank
2023-02-15 15:22
Ausgezeichnetes Produkt, schneller Versand!
2023-02-14 00:41
Sieht aus wie die echten.
2023-02-15 00:46
Perfekter Artikel wie beschrieben.
2023-02-14 14:01
Habe nicht nachgeschaut!
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