NTE5846
Active - DIODE GEN PURP 800V 3A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO4
NTE5846 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 3 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 800 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5846 Inventar: 41400
5.0 / 5.0
2023-02-28 05:32
Gut aussehen muss noch behindert werden
2022-12-16 18:07
Okay erhalten, viele Beine waren richtig angewinkelt, als der IC-Chip für den Versand in antistatischen Schaum gedrückt wurde
2023-02-28 05:53
Ok, alles guter, schneller Versand, danke
2022-10-06 10:05
Alles in Ordnung, danke.
2023-02-28 16:48
Schon ein Soldat am Handy. Funktioniert ok
Germany
