NTE5832
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
NTE5832 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 3 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 100 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5832 Inventar: 29050
5.0 / 5.0
2023-01-24 00:19
Alles in bester Ordnung. Empfehlen.
2023-01-25 08:28
Großartige Chip-Good-Verpackung dauerte nur 3 Wochen in den Staaten
2023-01-27 10:43
Ausgezeichnet, sehr schnell gesendet
2023-01-27 01:35
Angekommen in 15 Tagen wie auf den Fotos
2023-01-24 11:28
Guter Verkäufer. Produkt OK, aber ein bisschen auf der teuren Seite.
Germany
