NTE5825
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
NTE5825 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.4 V @ 12 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
400 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
25 μA @ 1000 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE5825 Inventar: 40170
5.0 / 5.0
2023-01-24 12:06
Mui guter Verkäufer alles wie es beschrieben ist. Vielen Dank
2023-01-23 13:32
Alles wie beschrieben
2023-01-18 20:22
Das war%27%27s, sie arbeiten auch, danke!
2023-01-22 10:00
Kein problemkonformes Produkt und netter Verkäufer
2023-01-23 14:37
Kam einen Monat früher an. Empfehlenswert
Spain
