NTE519
Active - DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
NTE519 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 10 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
8 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35
Betriebstemperatur - übergang
200 ℃ (Max)
Poland
