NTE3310
Active - IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
Beschreibung:
IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE3310 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
415 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
30 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
4V @ 15V, 15A
Td (on/off) bei 25°C
400ns/500ns
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
NTE3310 Inventar: 13340
5.0 / 5.0
2023-03-08 05:11
Ich habe sie nie erhalten, und ich werde das Geld auch nicht zurückbekommen
2023-03-08 08:10
Ausgezeichneter Verkäufer, sehr zu empfehlen.
2023-01-31 16:29
Ich habe sie eingesetzt und sie haben 2 Minuten gedauert, sie platzen automatisch, schlechte Qualität
2023-03-07 17:17
Qualität 100% empfohlener Verkäufer,
2023-03-05 02:44
Alles gut!! Xbox One S repariert. Vielen Dank!
Spain
