NTE2414

Active - T-NPN SI WITH 10K RES
Beschreibung:
T-NPN SI WITH 10K RES
NTE2414 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
10 kOhms
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Frequenz - übergang
250 MHz
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23