NTE2387
Active - MOSFET N-CHANNEL 800V 4.1A TO220
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 800V 4.1A TO220
NTE2387 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4.1A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
NTE2387 Inventar: 41440
5.0 / 5.0
2023-01-24 12:57
Vielen Dank für den schnellen Versand. Verkäufer weiterempfehlen.
2023-02-05 12:39
Produkt erhalten. Sehr langsamer Versand.
2023-02-05 12:34
Alles gut. Gut verpackt. Gute Geschäfte.
2023-02-04 01:56
Gute Qualität in der Arbeit nicht überprüft die Verpackung gut danke
2023-02-02 02:37
Das ist okay. Ich hoffe, sie sind wirklich 25A wie angegeben.
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