NTE2018
Active - IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Beschreibung:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
NTE2018 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
8 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Betriebstemperatur
-20 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
18-PDIP
NTE2018 Inventar: 41300
5.0 / 5.0
2023-02-16 00:12
Wurde sehr spät versendet
2023-02-16 00:02
Gut angekommen in 11 Tagen scheinen alle gut zu sein, danke
2023-02-13 17:15
Ausgezeichnet!!! Vielen Dank
2023-02-15 15:22
Ausgezeichnetes Produkt, schneller Versand!
2023-02-14 00:41
Sieht aus wie die echten.
Spain
