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NTE170

Active Icon Active - R-SI BRIDGE 1000V 2A
NTE170
NTE170
NTE Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
R-SI BRIDGE 1000V 2A
 
3D Model Icon

NTE170 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bag
Produktstatus
Active
Diodentyp
Single Phase
Technologie
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
1 kV
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 2 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 1000 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
4-SIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SIP

NTE170 Inventar: 1070

Geschichte Preis
$3.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Nicolás Esteban Herrera
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-24 12:06
Mui guter Verkäufer alles wie es beschrieben ist. Vielen Dank
Author Icon
Samuel Wright
Location Icon United States
5 stars
2023-01-23 13:32
Alles wie beschrieben
Author Icon
Victoria Scott
Location Icon United States
5 stars
2023-01-18 20:22
Das war%27%27s, sie arbeiten auch, danke!
Author Icon
Léonie Picard
Location Icon France
5 stars
2023-01-22 10:00
Kein problemkonformes Produkt und netter Verkäufer
Author Icon
Steven Allen
Location Icon United States
5 stars
2023-01-23 14:37
Kam einen Monat früher an. Empfehlenswert

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