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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  NTE Electronics NTE128P

NTE128P

Active Icon Active - TRANS NPN 80V 1A TO237
NTE128P
NTE128P
NTE Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS NPN 80V 1A TO237
 
3D Model Icon

NTE128P Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bag
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 350mA, 2V
Leistung - Max.
850 mW
Frequenz - übergang
50MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-237AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-237

NTE128P Inventar: 10760

Geschichte Preis
$3.19000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Author Icon
Raffaella Esposito
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken

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