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NTE103

Active Icon Active - TRANS NPN 24V 0.15A TO204AA
NTE103
NTE103
NTE Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS NPN 24V 0.15A TO204AA
 
3D Model Icon

NTE103 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bag
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
24 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
200mV @ 1mA, 24mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
5μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 12mA, 150mV
Leistung - Max.
150 mW
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 100 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AA (TO-3)

NTE103 Beschreibung

Natürlich, hier ist eine detaillierte Beschreibung des NTE Electronics NTE103 auf Deutsch:

---

### NTE Electronics NTE103

Der NTE103 von NTE Electronics ist ein vielseitig einsetzbarer Transistor, der in verschiedenen elektronischen Anwendungen verwendet wird. Dieser Transistor ist bekannt für seine Zuverlässigkeit und hervorragende Leistung in der Signalverstärkung und Schaltungskontrolle.

#### Spezifikationen:

1. Typ:
- NPN-Bipolartransistor

2. Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo):
- 60 V – Die maximale Spannung, die zwischen Kollektor und Emitter anliegen kann, ohne dass der Transistor beschädigt wird. Diese Spezifikation ist entscheidend für die Auswahl des Transistors für bestimmte Schaltkreise.

3. Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo):
- 80 V – Die maximale Spannung, die zwischen Kollektor und Basis anliegen kann. Diese Angabe hilft, die Einsatzgrenzen des Transistors in Schaltungen zu bestimmen.

4. Emitter-Basis-Spannung (Vebo):
- 6 V – Die maximale Spannung, die zwischen Emitter und Basis anliegen kann, ohne den Transistor zu schädigen.

5. Kollektorstrom (Ic):
- 3 A – Der maximale Strom, den der Kollektor des Transistors führen kann. Diese Spezifikation ist wichtig für die Dimensionierung des Transistors in Anwendungen mit höherem Strombedarf.

6. Basisstrom (Ib):
- 0,8 A – Der maximale Strom, den die Basis des Transistors führen kann. Dies beeinflusst die Schalt- und Verstärkerleistung des Transistors.

7. Leistungsaufnahme (Ptot):
- 25 W – Die maximale Leistung, die der Transistor dissipieren kann, ohne überhitzt zu werden. Eine effektive Kühlung ist erforderlich, um diese Leistung aufrechtzuerhalten.

8. Verstärkungsfaktor (hFE):
- 50 bis 300 – Der Verstärkungsfaktor des Transistors, der angibt, wie viel das Eingangssignal verstärkt wird. Der Bereich zeigt die Variabilität des Verstärkungsfaktors zwischen verschiedenen Bauteilen.

9. Transition Frequenz (ft):
- 4 MHz – Die Frequenz, bei der der Transistor seine Verstärkung auf 1 (Verstärkungsfaktor) reduziert. Dies ist ein Indikator für die Geschwindigkeit des Transistors.

10. Gehäuse:
- TO-220 – Das Standardgehäuseformat für den Transistor, das für seine gute Wärmeabfuhr und einfache Handhabung bekannt ist.

11. Thermische Widerstand:
- 2,5 °C/W – Der thermische Widerstand, der angibt, wie effizient der Transistor Wärme von seinem Anschlussbereich ableitet. Ein niedrigerer Wert zeigt eine bessere Wärmeableitung an.

12. Arbeitstemperaturbereich:
- -55 °C bis +150 °C – Der Temperaturbereich, in dem der Transistor zuverlässig arbeitet. Dieser breite Bereich ermöglicht den Einsatz in verschiedenen Umgebungen und Anwendungen.

#### Anwendungsbereiche:

- Verstärker: Der NTE103 eignet sich hervorragend für Verstärkeranwendungen, bei denen eine hohe Verstärkung und Stabilität erforderlich sind.
- Schalter: Aufgrund seiner robusten Leistungsparameter kann der Transistor in Schaltkreisen verwendet werden, die hohe Ströme und Spannungen schalten.
- Leistungssteuerung: Er wird oft in Schaltungen zur Steuerung von Leistungsanwendungen eingesetzt, wie in Motorsteuerungen oder Leistungsverstärkern.
- Signalverarbeitung: Der Transistor ist ideal für die Signalverarbeitung, wo präzise Verstärkung und Verarbeitung von Signalen erforderlich sind.

#### Wichtige Hinweise:

- Kühlung: Angesichts der hohen Leistungsaufnahme ist eine angemessene Kühlung erforderlich, um Überhitzung und mögliche Beschädigungen zu verhindern.
- Montage: Die korrekte Montage und Verbindung im Schaltkreis sind entscheidend, um die optimale Leistung und Lebensdauer des Transistors zu gewährleisten.
- Sicherheitsvorkehrungen: Beim Umgang mit dem NTE103 sollten geeignete Vorsichtsmaßnahmen getroffen werden, um elektrische Schläge und andere Sicherheitsrisiken zu vermeiden.

Der NTE103 von NTE Electronics bietet eine Kombination aus robusten Spezifikationen und Vielseitigkeit, die ihn für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungen geeignet macht. Seine hohen Leistungsparameter und breite Einsatzfähigkeit machen ihn zu einer bevorzugten Wahl für Ingenieure und Entwickler.

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Falls du weitere Fragen hast oder mehr Informationen benötigst, lass es mich wissen!

NTE103 Inventar: 39480

Geschichte Preis
Active
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei
Author Icon
Paul Roy
Location Icon France
5 stars
2021-11-04 06:37
Entspricht meiner Nutzung
Author Icon
Laura Cristina
Location Icon Spain
5 stars
2021-07-11 09:01
Getestet, funktioniert wie erwartet.

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