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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  NTE Electronics MJ10012

MJ10012

Active Icon Active - TRANS NPN DARL 400V 10A TO3
MJ10012
MJ10012
NTE Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 400V 10A TO3
 
3D Model Icon

MJ10012 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bag
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.5V @ 2A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
300 @ 3A, 6V
Leistung - Max.
175 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3

MJ10012 Inventar: 27740

Geschichte Preis
$7.92000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Kęstutis Andrius
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-23 08:53
Lieferung in der angegebenen Zeit. Wie beschrieben. Empfehlen!
Author Icon
Kevin Green
Location Icon United States
5 stars
2023-02-24 09:35
In Ordnung, ca.
Author Icon
Mia Müller
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-23 02:51
Sehr schnelle Lieferung, gute Ware
Author Icon
Léopold Leclercq
Location Icon France
5 stars
2023-02-23 06:46
Funktioniert sehr gut
Author Icon
Nicoletta Greco
Location Icon Italy
5 stars
2023-02-23 10:47
Top, schneller Versand. Ich muss sie noch testen! Aber sie kamen in gutem Zustand an,

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