1N5819

## Allgemeine Beschreibung

Die 1N5819 von onsemi ist eine Schottky-Diode, die für Gleichrichteranwendungen in Niederspannungs- und Hochfrequenzschaltungen optimiert ist. Schottky-Dioden zeichnen sich durch eine geringe Vorwärtsspannung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität aus, wodurch sie für Anwendungen wie Gleichstromversorgung, Freilaufdiode bei Induktivlasten und Schutzschaltungen geeignet sind. Die 1N5819 wird häufig in Gleichrichtern von Netzteilen, Solarreglern, DC-DC-Wandlern und Spannungsbegrenzungen eingesetzt.

## Halbleitertechnologie

Die 1N5819 basiert auf einer Silizium-Schottky-Technologie, die eine Metall-Halbleiter-Grenzschicht verwendet. Diese Struktur ermöglicht eine sehr geringe Vorwärtsspannung, schnelle Schaltzeiten und einen geringen Speicheranteil, was den Verlust und die Wärmeentwicklung minimiert. Schottky-Dioden besitzen keinen klassischen pn-Übergang, was ihre Kennlinien im Durchlassbereich charakteristisch flach macht.

## Elektrische Eigenschaften

* Typ: Schottky-Diode, Einweg
* Maximaler durchschnittlicher Gleichstrom (Io): 1 A
* Maximaler Spitzenstrom (Ifsm): 25 A, kurzzeitig (8,3 ms Halbwelle)
* Maximaler Sperrstrom (Ir) bei 25 °C: typ. 0,5 mA
* Maximaler Sperrstrom bei 100 °C: 10 mA
* Maximal zulässige Sperrspannung (Vr): 40 V
* Maximal zulässige Spitzensperrspannung (Vrrm): 40 V
* Vorwärtsspannung (Vf) bei If = 1 A: typ. 0,525 V, maximal 0,85 V
* Temperaturkoeffizient der Vorwärtsspannung: -2 mV/°C

## Schalt- und Kapazitätseigenschaften

* Reverse Recovery Time (trr): typ. 4 ns, extrem schnell im Vergleich zu pn-Dioden
* Eingangskapazität (Cj): 15 pF bei Vr = 0 V
* Niedrige Junction-Kapazität reduziert Schaltverluste in Hochfrequenzanwendungen
* Schnelle Reaktion ermöglicht Einsatz in Schaltreglern und PWM-gesteuerten Anwendungen

## Thermische Eigenschaften

* Maximal zulässige Junction-Temperatur (Tj): 125 °C
* Thermischer Widerstand Junction-to-Ambient (RthJA): 75 °C/W bei unbewegter Luft
* Maximal zulässige Verlustleistung (Ptot): 3 W bei T = 25 °C
* Gute Wärmeableitung über das DO-41-Gehäuse, unterstützt Kühlung durch PCB-Thermal-Pads

## Gehäuse

* Standardgehäuse: DO-41 axial
* Länge: ca. 4,5 mm, Durchmesser: ca. 2,6 mm
* Anschlussdrähte verzinnt für einfache Lötung auf Leiterplatten
* Kennzeichnung: Anode-Kathode-Markierung durch Ring am Kathodenende

## Schutz- und Zuverlässigkeitsmerkmale

* Schutz gegen Umkehrspannungsspitzen bis zur maximalen Sperrspannung
* Geringer thermischer Widerstand und schnelle Wärmeableitung minimieren thermisches Durchgehen
* Schock- und Vibrationsfestigkeit im Rahmen industrieller Normen
* Langzeitstabilität der elektrischen Parameter bei Umgebungstemperaturen bis 100 °C

## Anwendungsgebiete

* Gleichrichter in Schaltnetzteilen für industrielle und kommerzielle Geräte
* Freilaufdiode für Motoren und Induktivlasten
* DC-DC-Wandler, Buck- und Boost-Konverter
* Solar- und Batterieladeschaltungen
* Schutzschaltungen gegen Spannungsspitzen

## Besondere Merkmale

* Geringer Vorwärtsspannungsabfall reduziert Energieverluste bei Gleichrichteranwendungen
* Extrem kurze Rückwärtserholungszeit, ideal für schnelle Schaltanwendungen
* Hohe Spitzenstrombelastbarkeit für transienten Schutz
* Stabiler Betrieb über einen weiten Temperaturbereich von -65 °C bis +125 °C
* Kompakte Bauform für platzsparende Leiterplattenintegration

Die 1N5819 kombiniert geringe Vorwärtsspannung, schnelle Schaltzeiten und hohe Belastbarkeit, wodurch sie besonders für effiziente Energieumwandlung und Hochfrequenzanwendungen in Stromversorgungen und Schutzschaltungen geeignet ist.