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1N4935

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4935
1N4935
NTE Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
 
3D Model Icon

1N4935 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bag
Produktstatus
Active
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 1 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
150 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
12pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-204AL, DO-41, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-41
Betriebstemperatur - übergang
-50 ℃ ~ 150 ℃

1N4935 Inventar: 7220

Geschichte Preis
$0.12000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Natasza Zawisza
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-27 07:35
Lieferung erhalten, Transistoren nicht ausgebreitet.
Author Icon
Ricardo Antonio García
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-26 04:12
Alles gut, ich empfehle Verkäufer
Author Icon
Mariana Isabel
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke
Author Icon
Ellie White
Location Icon United States
5 stars
2023-02-26 04:42
100% okay ?
Author Icon
Martín Herrera
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke

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