PMT200EPEX
Active - MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
Beschreibung:
MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
PMT200EPEX Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
70 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2.4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
167mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15.9 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
822 pF @ 35 V
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-223
Gehäuse / Hülle
TO-261-4, TO-261AA
Italy
