TC429EMF
Obsolete - IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Beschreibung:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
TC429EMF Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
7V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
6A, 6A
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
23ns, 25ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-VDFN Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (3x3)
TC429EMF Inventar: 47290
5.0 / 5.0
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
France
