TC426EOA
Active - IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Beschreibung:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
TC426EOA Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
30ns, 30ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
France
