MX2N5115UB
Active - JFET
MX2N5115UB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
Military, MIL-PRF-19500
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
15 mA @ 15 V
Strom, Drain (Id) - max.
-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
3 V @ 1 nA
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
25pF @ 15V
Widerstand - RDS(On)
100 Ohms
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
3-SMD, No Lead
Gehäusetyp vom Lieferanten
UB
MX2N5115UB Inventar: 46790
5.0 / 5.0
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
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