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MV2N5114

Active - P CHANNEL JFET

Hersteller:

Microchip Technology

Hersteller-Teil #

MV2N5114

Kategorie:

Transistoren - JFETs

Datenblatt:

MV2N5114

Beschreibung:

P CHANNEL JFET

MV2N5114 Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Transistoren - JFETs

Hersteller

Microchip Technology

Reihe

Military, MIL-PRF-19500

Verpackung

Bulk

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)

30 V

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30 V

Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)

90 mA @ 18 V

Strom, Drain (Id) - max.

-

Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id

10 V @ 1 nA

EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds

25pF @ 15V

Widerstand - RDS(On)

75 Ohms

Leistung - Max.

500 mW

Betriebstemperatur

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Gehäuse / Hülle

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Gehäusetyp vom Lieferanten

TO-18 (TO-206AA)

MV2N5114 Inventar: 16880

Geschichte Preis

$62.92230

5.0 / 5.0

Pietro Gallo

Italy

2023-05-24 09:17

Perfect, it%27s okay. Thank you

Paul Huber

Germany

2023-01-05 06:42

Komponenten O.K. Schnelle Lieferung. Sehr gut.

Florian Guerin

France

2023-05-26 02:47

Schnell genug erhalten, aber noch nicht getestet.

Ornella Caruso

Italy

2023-05-25 05:33

Wie in der Beschreibung

Nino Rizzo

Italy

2023-05-24 23:05

Günstiger Versand, aber sehr schnell. Hervorragend integriert. Sehr zu empfehlen!!

MV2N5114

MV2N5114 Spezifikation

MV2N5114 Inventar: 16880

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