Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology MS2N5662

MS2N5662

Active Icon Active - POWER BJT
MS2N5662
MS2N5662
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

MS2N5662 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/454
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
800mV @ 400mA, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
200nA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 500mA, 5V
Leistung - Max.
1 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

MS2N5662 Inventar: 40720

Geschichte Preis
Active
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Krystyna Zawadzka
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
Author Icon
Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
Author Icon
Hugo Enrique Pérez
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
Author Icon
Mindaugas Egidijus
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...

MS2N5662 Verwandte Teile

MS2N4931
MS2N5662
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *