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MNS1N5822US

Active Icon Active - DIODE SCHOTTKY 40V 3A SQ-MELF B
MNS1N5822US
MNS1N5822US
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SQ-MELF B
 
3D Model Icon

MNS1N5822US Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/620
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Technologie
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
40 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
500 mV @ 3 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 μA @ 40 V
Kapazität bei Vr, F
-
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
SQ-MELF, B
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 125 ℃

MNS1N5822US Inventar: 2340

Geschichte Preis
$62.22000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ottavia Romano
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:53
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
Author Icon
Sanne van der Zanden
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-23 13:21
Reibungsloses Arbeiten, danke
Author Icon
Chase Wilson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-22 19:30
Ich bin sehr zufrieden
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Thomas Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-24 00:36
Professionelle Herstellung und schnelle delivery__Excellent Qualität und functionality__Continue, again__Thank Sie zu empfehlen und willkommen zu heißen
Author Icon
Niccolò Fontana
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-20 09:58
Toller Laden, es ist in Ordnung. Vielen Dank.

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