JAN1N914
Active - DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
JAN1N914 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/116
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 50 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
20 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
500 nA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
2.8pF @ 1.5V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-35 (DO-204AH)
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 150 ℃
JAN1N914 Inventar: 40630
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Finland
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