JAN1N6770
Active - DIODE GEN PURP 150V 8A TO257
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 8A TO257
JAN1N6770 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
150 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.06 V @ 8 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
35 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 120 V
Kapazität bei Vr, F
150pF @ 5V, 1MHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-257
Betriebstemperatur - übergang
-
JAN1N6770 Inventar: 32600
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
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