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JAN1N5809

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
JAN1N5809
JAN1N5809
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
 
3D Model Icon

JAN1N5809 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/477
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
30 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 100 V
Kapazität bei Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
B, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃

JAN1N5809 Inventar: 5520

Geschichte Preis
$6.37500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Quentin Morel
Location Icon France
5 stars
2023-05-15 23:49
Super schnelle Lieferung zu empfehlen!!
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Sophie Hartmann
Location Icon Germany
5 stars
2023-05-16 20:59
...
Author Icon
Bartłomiej Kwiatkowski
Location Icon Poland
5 stars
2023-05-18 07:30
SCHNELLES GEHÄUSE OHNE 100% PROBLEM.
Author Icon
Élise Masson
Location Icon France
5 stars
2022-12-22 13:28
Sehr schneller Versand dank
Author Icon
Eleonora Rossi
Location Icon Italy
5 stars
2023-05-20 02:29
Artikel, der mit der Beschreibung übereinstimmt. Lieferung und Paket ausgezeichnet.

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