APT9M100B
Active - MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
APT9M100B Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2605 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
335W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 [B]
APT9M100B Inventar: 15980
5.0 / 5.0
2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD912-Transistoren mit einem hFE-Wert von 141 bis 157 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.
2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD911-Transistoren mit einem hFE-Wert von 44 bis 47 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.
2023-02-02 07:18
Guter Verkäufer. Vielen Dank.
2023-02-01 08:44
Alles ist in Ordnung.
2023-02-03 02:17
Ausgezeichnet, gute Qualität, schnelle Quittung empfehlen.
United States
