APT9F100B
Active - MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
APT9F100B Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2606 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
337W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 [B]
APT9F100B Inventar: 21540
5.0 / 5.0
2023-02-16 00:02
Gut angekommen in 11 Tagen scheinen alle gut zu sein, danke
2023-02-13 17:15
Ausgezeichnet!!! Vielen Dank
2023-02-15 15:22
Ausgezeichnetes Produkt, schneller Versand!
2023-02-14 00:41
Sieht aus wie die echten.
2023-02-15 00:46
Perfekter Artikel wie beschrieben.
France
