APT34M120J
Active - MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
APT34M120J Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
560 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
18200 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227
Gehäuse / Hülle
SOT-227-4, miniBLOC
France
