APT17F120J
Active - MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
APT17F120J Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
580mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
300 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9670 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
545W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
ISOTOP?
Gehäuse / Hülle
SOT-227-4, miniBLOC
France
