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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N7368

2N7368

Active Icon Active - POWER BJT
2N7368
2N7368
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N7368 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 1A, 2V
Leistung - Max.
115 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-254-3, TO-254AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-254AA

2N7368 Inventar: 42580

Geschichte Preis
$312.40500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Juliana Carolina López
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke
Author Icon
Amy Adams
Location Icon United States
5 stars
2023-02-10 13:39
Andere als die bestellten integrierten Schaltkreise sind eingetroffen.
Author Icon
Fernando Andrés
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke
Author Icon
Max Thompson
Location Icon United States
4 stars
2022-11-02 23:28
Alles in Ordnung, aber Versand über 3 Monate. Von welchen Straci?em-Kunden in repair.__recommend.
Author Icon
Hans-Peter Müller
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-25 10:28
Sie kamen in einwandfreiem Zustand an, man muss es nur probieren

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