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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N7143

2N7143

Active Icon Active - POWER BJT
2N7143
2N7143
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N7143 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
87 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N7143 Inventar: 31480

Geschichte Preis
$228.69000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Sylvie Renard
Location Icon France
5 stars
2023-02-17 11:02
perfekt, nach 17 Tagen Reise mit gruppierten delivery.__Works perfekt well__Thanks angekommen
Author Icon
Monika Kairytė
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-22 14:30
Ich bestelle zum zweiten Mal. Es ist alles gut.
Author Icon
Tobias Meier
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-21 06:57
Sehr schneller Versand, gute Qualität, vielen Dank!
Author Icon
Armand Bouvier
Location Icon France
5 stars
2023-02-18 08:54
Kauf gemäß der Beschreibung sehr schnell erhalten, wie bei früheren Käufen. Verkäuferberatung
Author Icon
Zuzanna Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-22 05:31
Super extra cool, fantastisch.

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