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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5959

2N5959

Active Icon Active - POWER BJT
2N5959
2N5959
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5959 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
175 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N5959 Inventar: 21400

Geschichte Preis
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Célia Giraud
Location Icon France
5 stars
2023-03-06 13:52
Alles wie beschrieben. Alle sind brauchbar. Danke an den Verkäufer. Ich empfehle es.
Author Icon
Andrés Medina
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-04 07:59
Funktioniert problemlos dank 100% empfohlen
Author Icon
Dorian Perrin
Location Icon France
5 stars
2023-03-04 06:23
Nun, __But nicht möglich, mit Arduino-Software zu programmieren (nicht einmal Bootloder)
Author Icon
Paulette Brun
Location Icon France
5 stars
2023-03-03 00:54
Im Einklang mit dem, was ich erwartet hatte...
Author Icon
Natasza Baran
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-03 07:27
Sehr gute Qualität

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