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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5958

2N5958

Active Icon Active - POWER BJT
2N5958
2N5958
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5958 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
175 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N5958 Inventar: 48360

Geschichte Preis
$499.12500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
Author Icon
Hugo Enrique Pérez
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
Author Icon
Mindaugas Egidijus
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt

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