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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N5936

2N5936

Active Icon Active - POWER BJT
2N5936
2N5936
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5936 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
175 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N5936 Inventar: 38080

Geschichte Preis
$69.36000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Stella Morris
Location Icon United States
5 stars
2023-02-13 17:15
Ausgezeichnet!!! Vielen Dank
Author Icon
Isaac Reed
Location Icon United States
5 stars
2023-02-15 15:22
Ausgezeichnetes Produkt, schneller Versand!
Author Icon
Benedikt-Maximilian Meier
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-14 00:41
Sieht aus wie die echten.
Author Icon
Jens Petersen
Location Icon Denmark
5 stars
2023-02-15 00:46
Perfekter Artikel wie beschrieben.
Author Icon
Linde de Vos
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-02-14 14:01
Habe nicht nachgeschaut!

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