2N5795AU
Active - DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Beschreibung:
DUAL SMALL-SIGNAL BJT
2N5795AU Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
6-SMD, No Lead
Gehäusetyp vom Lieferanten
U
France
